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用低强度电给大脑挠痒痒可改善言语记忆

导读 在特定区域用低强度电刺激使大脑挠痒,可以改善言语短期记忆。梅奥诊所的研究人员在大脑中报告了他们的发现。 研究人员发现,通过刺激大脑

在特定区域用低强度电刺激使大脑挠痒,可以改善言语短期记忆。梅奥诊所的研究人员在大脑中报告了他们的发现。

研究人员发现,通过刺激大脑的颞侧皮层(太阳穴和耳朵在头部侧面的区域),可以增强单词回忆功能。当低振幅电刺激传递到大脑时,患者从先前查看的列表中回忆起更多单词。一名患者报告说,将脑海中的单词想象出来便于记忆。

“这项研究最令人兴奋的发现是,通过直接刺激这个尚未充分开发的大脑区域,可以改善我们对语言信息的记忆力,”神经学系Mayo诊所研究员,第一作者,第一作者Michal Kucewicz博士说。 。Kucewicz博士将刺激与“挠痒”大脑进行了比较。

在许多脑部疾病中,记忆障碍是普遍存在且代价高昂的问题。药物和行为疗法在许多情况下效果有限。“尽管对脑部进行电刺激已成为治疗各种神经系统疾病和精神疾病的潜在疗法,但对其记忆的影响知之甚少,”梅奥诊所神经病学家,资深作者Gregory Worrell博士说。的文章。

Mayo研究人员是费城宾夕法尼亚大学Michael Kahana博士领导的多中心合作的一部分。这项合作包括七个学术医学中心。

“该项目的下一步是确定如何根据大脑该区域内的确切位置,刺激的时间和参数来最佳地施加电流,”梅奥诊所的医学博士Brent Berry说。生理和生物医学工程系研究员,第一作者。

在此Brain论文中,Dr。Kucewicz和Berry及其同事将研究重点放在已知的四个区域,以支持记忆和可以自觉回忆的事件。

记忆力测试是针对接受手术评估癫痫发作的患者进行的。这些患者同意使用植入大脑中的电极进行手术以评估他们的记忆力。癫痫患者通常会出现记忆障碍,因为构成记忆功能的大脑回路通常会受到癫痫的影响。

在这项研究中,患者被指示从计算机屏幕上读取单词列表,一次一次。这段时间中施加了电刺激。然后,患者尝试以任意顺序自由回忆单词。

研究人员发现,在22名患者中,四名颞外侧皮质受到刺激的患者的记忆力得到了增强,而其他大脑区域受到刺激的患者则没有。

“这些发现可能会导致治疗记忆和认知缺陷的新刺激设备,”专门从事脑部位置调节的Mayo诊所神经外科医生,该研究的作者Jamie Van Gompel医学博士说。

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